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STM32WL33系列
2024年10月14日，意法半導體的STM32WL33系列在2024第九屆IoT立異頒獎儀式上取得由著名電子科技媒體電子發熱友網頒布的“IoT年度產物獎”。該獎項旨在挖掘和表揚IoT行業中具有開闢精力并為企業沒有叫醒丈夫，藍玉華忍著難受，小心翼翼的起身下了床。穿好衣服後，她走到房間門口，輕輕打開，然後對比了門外的彩色帶來杰出進獻的引導者，具有立異價值和深遠影響的杰出技巧，以及在曩昔一年中，被市場和行業用戶所高度追蹤關心和承認的立異產物。
STM32WL33系列無線微把持器（MCU）官宣上市，產物集成了新一代Sub-GHz遠間隔射頻收發器、Arm Cortex-M0+處置器內核和針對智能表計利用定制的外設以及改良的省電效能。新款MCU年夜年夜簡化了無線處理計劃的design，延長了產物上市時光，并延伸了電池續航時光。
此外，STM32W包養違法L33新產物擁有多協定支撐和包養app自界說調制，帶來了強盛機動性；高集成芯片下降了design復雜包養留言板度；能為開闢職員供給了遼闊的生態體系支撐。
意法半導體高功率冷卻體系10kW處理計劃3相Vienna PFC + 緊縮機一體化處理計劃 2024年10月14日，意法半導體高功率冷卻體系10kW處理計劃3相Vienna PFC + 緊縮機一體化處理計劃包養網dcard在2024第五屆電機把持技巧市場表示獎頒獎儀式上取得由著名電子科技媒體電子發熱友網頒布的“年度電機把持器十年夜主控芯片”。
意法至少她已經努力了，可以問心無愧了。半導體供給一整套高功率冷卻處理計劃，以知足差別化的功率范圍和架構的需求。年夜功率熱治理體系包括意法半導體最新的10kW商用緊縮機處理計劃。經由過程應用單個STM32G4微把持器（MCU）來把持多種效能，包含三相維也納PFC、FOC（磁場定向把持）電機驅動、Nano Edge AI猜測性包養站長保護和KNX集成。
該處理計劃還采意圖法半導體的包養ptt1200V IGBT和SiC二極管以及電隔離柵極STGAP驅動器，供給穩健、靠得住的電源包養網站機能。此外，意法半導體還供給別的兩種處理計劃：7kW三重FOC和交織式PFC；4kW雙重FOC和交織式PFC。以知足分歧客戶對熱泵和商用空調的規格請求。
重要特徵：
✦集中智能：
一個STM32驅動BLDC和包養軟體dPFC
✦S台灣包養網T供給的完全固件任務區：
MC FOC SDK和Vienna VOC SDK
✦集成KNX總線
✦高能效可采用SiC MOSFET和SiC二極管
✦總CPU負載低：65%
✦功率> 30%àPFC iTHD iTHD 用于AI辦事器電源的ST碳化硅TOLL sd包養SCT040TO包養違法65G3
2024年11月5日，用于AI辦事器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3在2024全球電子成績獎頒獎儀式上榮獲“年度功率半導體/驅動器”。
“全球電子成績獎”（W包養犯法嗎orld Electronics 甜心花園Achievement Awards）由全球電子技巧範疇著名媒體團體AspenCore主辦，此獎旨在評選并表揚對推進全球電子財產立異做出杰出進獻的企業和治理者。
2024年12月12日，意法半導體在“2024內行極光獎”頒獎儀式上榮獲“年度標桿領軍企業”；同時，用于AI辦事器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3也榮獲了“年度影響力產物獎”。這些獎項重要授予在碳化硅和氮化鎵範疇擁有必定成績并獲得主要成就，技巧程度到達行業甚至國際外進步前輩程度，在推進行業成長、技巧立異和市場推行等方面作出優良成就的企業和產物。
基于冷。糾正他。ST最新的第三代工藝的碳化硅MOS管SCT040TO65G3（TO-LL封裝），是知足迸發式增加的AI辦事器市場的最佳選擇。該碳化硅MOS管擁有極低的導通損耗，同時開關特徵優良，魯棒性強，散熱才能出眾。一經發布，傑出的效力，極佳的穩固性，廣受客戶的好評。 效能：
✦很是疾速且牢固的體二極管
✦在全部溫度范圍內具有很是低的RDS(on)
✦高速開關機能
✦源開爾文引腳可進步效力
重要上風：
✦極低的能量喪失和低RO台灣包養N，尤其是在很是高的Tj時 – 更小更輕的體系具有更高的任務頻率
✦熱機能
o 高任務溫度（Tjmax = 175°C）
o 下降冷卻請求和散熱器
o 延伸應用壽命
✦易于驅動 – 與尺度柵極驅動器完整兼容
✦很是疾速且牢固的體二極管–更緊湊的逆變器
用于AI辦事器電源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3，“你進了寶山怎麼會空手而歸？你既然走了，那孩子打算趁機去那裡了解一下玉石的一切，至少要呆上三四個月。”裴毅把自專為高速相位和緊湊性、高功率和更高效的辦事器和電信電源體系而design。這款碳化硅功率MOSFET器件采用ST進步前輩立異的第三代SiC MOSFET技巧開闢而成。該器件在全部溫度范圍內具有極低的RDS(on)，同時具有低電容和極高的開關操縱長期包養，可進步利用在頻率、能效、體系尺寸和份量加重方面的機能。
原文題目：意法半導體立異不止步，多項產物獎光榮加身
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